[发明专利]一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法在审

专利信息
申请号: 201910877410.7 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN110501105A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 江鹏;王铁军;李定骏;杨镠育 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01L5/00 分类号: G01L5/00;G01N21/64
代理公司: 61200 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 陈翠兰<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,包括步骤:1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。本发明用于直接反馈热障涂层界面损伤。
搜索关键词: 峰位 离子荧光 残余应力 传感层 等双轴 陶瓷层 单轴应力 热障涂层 荧光光谱仪 单轴加载 界面损伤 块体试样 无损测量 荧光信号 直接反馈 转换公式 预制 穿透 掺杂 测量 激光 发射 转换 激发 记录
【主权项】:
1.一种热障涂层界面附近陶瓷层残余应力的无损测量方法,其特征在于,包括以下步骤:/n1)对纯YSZ:Eu3+块体试样进行单轴加载,获得Eu3+离子荧光峰位与单轴应力的关系;/n2)根据平面等双轴应力和单轴应力转换公式,获得Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系;/n3)在TBC界面上方陶瓷层内的易开裂区预制一层掺杂Eu2O3的YSZ:Eu3+层将其作为应力传感层;/n4)采用荧光光谱仪发射532nm激光,从表面穿透TBC至界面YSZ:Eu3+应力传感层处,激发其荧光信号,并记录Eu3+离子荧光峰位信息;根据已获得的Eu3+离子荧光峰位与平面等双轴应力的关系,将测量得到的峰位转换成应力,从而得到YSZ:Eu3+应力传感层处的残余应力,此即为TBC界面附近陶瓷层残余应力。/n
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