[发明专利]功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法有效
| 申请号： | 201910877562.7 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110610934B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨发森;史波;肖婷;郭依腾;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L23/495;H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 519070 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法。该功率半导体器件包括元胞区和终端区，元胞区包括多个元胞，各元胞包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于衬底的相对的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一电极远离衬底的一侧表面与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H |
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| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 结构 及其 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括设置于衬底(10)上的元胞区和终端区(30)，所述元胞区的部分和所述终端区(30)的部分位于所述衬底(10)中，所述终端区(30)环绕所述元胞区设置，所述功率半导体器件中的元胞区包括多个元胞，各所述元胞包括第一电极(210)和第二电极(220)，所述第一电极(210)和所述第二电极(220)位于所述衬底(10)的相对的两侧，其特征在于，在垂直于所述衬底(10)的方向上，所述第一电极(210)远离所述衬底(10)的一侧表面与所述第二电极(220)远离所述衬底(10)的一侧表面的距离为H
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
