[发明专利]亚微米级高纯二氧化钛的表面包覆工艺有效

专利信息
申请号: 201910878931.4 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN111117297B 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 葛晨鑫;陈美吉;张国斌 申请(专利权)人: 江苏华力索菲新材料有限公司
主分类号: C09C1/36 分类号: C09C1/36;C09C3/04;C09C3/06;C09C3/10
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 杨胜
地址: 225000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了亚微米级高纯二氧化钛的表面包覆工艺,其包括以下步骤:步骤S1、将二氧化钛初品加入至壳聚糖、十二烷基甜菜碱的去离子水中,制备二氧化钛基料;步骤S2、向二氧化钛基料中依次加入六偏磷酸钠、硅酸钠制备包覆硅的二氧化钛浆料;步骤S3、向包覆硅的二氧化钛浆料中加入偏铝酸钠制备硅铝包覆的二氧化钛。本发明引入壳聚糖和环糊精,提高了二氧化钛表面包覆的氧化膜的稳定性、牢固性,进而能够很好的堵塞、遮盖钛白粉的晶格缺陷,最大程度的减少二氧化钛与光的直接接触,大大提高二氧化钛的耐候性、稳定性、亮度和酸溶率等性能。
搜索关键词: 微米 高纯 氧化 表面 工艺
【主权项】:
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