[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910879619.7 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110783461B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K71/10 | 分类号： | H10K71/10;H10K85/20;H10K10/46 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 100195 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶体管及其制造方法，主要包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；形成覆盖栅叠层结构的侧墙；形成至少覆盖侧墙的牺牲层；形成覆盖碳纳米管与牺牲层的金属层，部分位于源漏区域的金属层作为与碳纳米管接触的电接触；去除金属层的一部分以暴露牺牲层；以及去除牺牲层以暴露侧墙。在该制造方法中，当形成金属层时，金属层将会直接覆盖在牺牲层与碳纳米管上，经过牺牲层的隔离，避免了侧墙与金属层直接接触，通过去除牺牲层将覆盖在牺牲层上的金属层与器件分离，形成了源漏接触结构，以便源漏金属能够有效地与碳纳米管产生良好的浸润性，实现低电阻的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的制造方法，包括：/n在衬底上形成碳纳米管；/n在所述碳纳米管上形成栅叠层结构；/n形成覆盖所述栅叠层结构的侧壁的侧墙；/n形成至少覆盖所述侧墙的牺牲层；/n形成覆盖所述碳纳米管与所述牺牲层的金属层，部分位于所述碳纳米管上的所述金属层作为与所述碳纳米管接触的电接触；/n采用湿法或干法刻蚀工艺去除所述金属层的一部分以暴露所述牺牲层；以及/n采用湿法或干法刻蚀工艺去除所述牺牲层以暴露所述侧墙，/n其中，当采用湿法或干法刻蚀工艺去除所述牺牲层时，所述牺牲层相比于所述碳纳米管、所述栅叠层结构、所述侧墙以及所述电接触具有预定选择比。/n
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