[发明专利]使用交叉写入分开晶片平面有效
| 申请号： | 201910879797.X | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111078131B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | L·帕克 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“使用交叉写入分开晶片平面”。在一个实施方案中，固态设备包括控制器和非易失性存储器。非易失性存储器包括多个晶片。每个晶片包括多个平面。第一超平面块是由多个晶片的第一平面结构化。第二超平面块是由多个晶片的第二平面结构化。多个存储器操作指令在被控制器执行时使控制器接收第一数据流、将第一数据流写入第一超平面块、接收第二数据流以及将第二数据流写入第二超平面块。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 交叉 写入 分开 晶片 平面 | ||
【主权项】：
暂无信息
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