[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910881282.3 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112531027A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨晨曦;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干伪栅极结构，所述伪栅极结构顶部具有初始第一保护层；在衬底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层暴露出初始第一保护层顶部表面，且所述初始第一介质层表面齐平于初始第一保护层顶部表面；回刻蚀初始第一介质层表面和初始第一保护层表面，使初始第一介质层减薄形成第一介质层，使初始第一保护层减薄形成第一保护层；去除第一保护层，在第一介质层内形成第一开口；在第一开口内以及第一介质层上形成第二保护层；在第二保护层上形成掩膜结构，所述掩膜结构暴露出部分位于所述伪栅极结构顶部的所述第二保护层表面。所形成的半导体结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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