[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910882267.0 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911553A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G03F1/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，通过使用两个交替相移掩膜和一个曝光后烘烤，将光阻膜图案化成具有改善的临界尺寸均匀性且没有相位边缘的岛状物阵列。使用具有线宽/间距(L/S)图案的第一交替相移掩膜将光阻层曝光，其中穿过不透明线的每一侧上的交替透光区的光是180°相移的。此后，以具有线宽/间距图案的第二交替相移掩膜进行第二曝光，第二曝光中的不透明线与第一曝光中的不透明线的纵向尺寸正交对齐，并且具有交替的0°和180°透光区。然后，使用曝光后烘烤和随后的显影工艺来形成岛状物阵列。双重曝光方法能够实现比传统光刻更小的岛状物，并且使用相对简单的交替相移掩膜设计，此设计在制造中比其他光学增强技术更容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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