[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 201910882354.6 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110718855A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周少丰;刘鹏;陈丕新 | 申请（专利权）人： | 深圳市星汉激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;G02B27/28;H01S5/00;G02B27/09 |
| 代理公司： | 44372 深圳市六加知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许铨芬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出一种半导体激光器，属于激光技术领域。该半导体激光器包括：光束耦合结构，光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，相位延迟片位于第一入射方向；至少两个出光单元，出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，激光芯片的出射光束依次经过快轴准直透镜和慢轴准直透镜，并入射至光束耦合结构。出光单元的出射光束分别在快轴方向和慢轴方向进行光束整形处理，并且至少两个出光单元分别沿第一入射方向和第二入射方向入射至偏振耦合器，从而提高偏振耦合器的出射光束的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 入射方向 偏振耦合器 出光单元 准直透镜 出射光束 光束耦合 快轴 慢轴 半导体激光器 相位延迟片 激光芯片 激光技术领域 光束整形 入射 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：/n光束耦合结构，所述光束耦合结构包括相位延迟片和偏振耦合器，所述偏振耦合器包括第一入射方向和第二入射方向，所述相位延迟片位于所述第一入射方向；/n至少两个出光单元，所述出光单元包括激光芯片、快轴准直透镜和慢轴准直透镜，所述激光芯片的出射光束依次经过所述快轴准直透镜和所述慢轴准直透镜，并入射至所述光束耦合结构，其中，一部分所述出光单元的出射光束经所述相位延迟片后，沿所述第一入射方向入射至所述偏振耦合器，另一部分所述出光单元的出射光束沿所述第二入射方向入射至所述偏振耦合器。/n
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