[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910882882.1 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110957297B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 吴东骏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包括：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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