[发明专利]一种针对小线宽要求的硅通孔互连铜线阻挡层优化方法有效
| 申请号： | 201910883203.2 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110676213B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;傅晓娟;叶茂;宋凯悦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种针对小线宽要求的硅通孔互连铜线阻挡层优化方法，包括步骤：采用Ta和TaN双层作为通孔阻挡层，制备不同厚度的Ta‑TaN阻挡层，测量不同厚度下互连体系电阻电阻电迁移性能，选择具备预期电迁移能力和低互连电阻的适宜厚度的Ta‑TaN阻挡层薄膜作为目标阻挡层。本发明采用Ta和TaN双层作为通孔阻挡层，通过制备不同厚度的Ta‑TaN阻挡层，测量不同厚度下的互连体系电阻电迁移性能，最终获得具备预期电迁移能力和低互连电阻的适宜厚度的Ta‑TaN阻挡层薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 小线宽 要求 硅通孔 互连 铜线 阻挡 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.针对小线宽要求的硅通孔互连铜线阻挡层优化方法，其特征在于，包括步骤：采用Ta和TaN双层作为通孔阻挡层，制备不同厚度的Ta-TaN阻挡层，测量不同厚度下的互连体系电阻电迁移性能，获得具备预期电迁移能力和低互连电阻的适宜厚度的Ta-TaN阻挡层薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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