[发明专利]利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术工艺设计的优化在审
| 申请号： | 201910883214.0 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110676157A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 赵毅强;傅晓娟;宋凯悦;刘燕江 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术工艺设计的优化，是将SiON和SoC共同组成芯轴材料，芯轴材料与介质层材料之间沉积一层ploy材料；两层间隔材料分别采用氧化物、TiN，氧化物首先被沉积在芯轴材料上刻蚀形成的芯轴上形成第一层间隔，去除芯轴，保留第一层间隔，随后在氧化物的形成的第一层间隔上沉积TiN形成第二层间隔，之后去除第一层间隔，保留第二层间隔；将第二层间隔形成的图形传递到ploy材料层，在ploy材料层刻蚀完成之后，再将ploy材料层刻蚀形成的图案传递到介质材料层刻蚀，最终完成。本发明采用氧化物和TiN作为间隔材料，实现对自对准四重图形技术工艺方法的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 芯轴 第一层 刻蚀 材料层 层间隔 沉积 间隔材料 图形技术 自对准 去除 介质材料层 介质层材料 工艺设计 图案传递 图形传递 保留 两层 优化 | ||
【主权项】：
1.利用氧化物和TiN实现自对准四重图形技术(SAQP)工艺设计的优化，其特征在于，包括如下步骤：/n将SiON和SoC共同组成芯轴材料，芯轴材料与介质层材料之间沉积一层ploy材料；/n两层间隔材料分别采用氧化物、TiN，氧化物首先被沉积在芯轴材料上刻蚀形成的芯轴上形成第一层间隔，去除芯轴，保留第一层间隔，随后在氧化物的形成的第一层间隔上沉积TiN形成第二层间隔，之后去除第一层间隔，保留第二层间隔；/n将第二层间隔形成的图形传递到ploy材料层，在ploy材料层刻蚀完成之后，再将ploy材料层刻蚀形成的图案传递到介质材料层刻蚀，最终完成。/n本发明采用TiN作为间隔材料和poly层修饰图形形貌能够显著的提高最终图形特征尺寸的均匀性，同时对间隔厚度控制可以获得更小的特征尺寸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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