[发明专利]一种平板探测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910883981.1 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110391308B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 陈钢 | 申请（专利权）人： | 南京迪钛飞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/115;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种平板探测器及其制造方法，一种平板探测器包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；还包括位于层间绝缘层上的阻挡层；至少部分所述阻挡层呈浮动状态，至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。本发明平板探测器上设置阻挡层，至少部分阻挡层位于半导体层的正上方，阻挡层可以阻挡光电转换层形成时氢气扩散对半导体层的影响、也可以阻挡X射线或环境光对半导体层的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 半导体层 平板探测器 层间绝缘层 绝缘层 光电转换层 阴极电极 阻挡 浮动状态 氢气 环境光 制造 扩散 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种平板探测器，其包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上的第二绝缘层、位于第二绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；其特征在于，还包括位于层间绝缘层和第二绝缘层之间的阻挡层；至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方，至少部分所述阻挡层位于所述光电转换层的下方。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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