[发明专利]非挥发性存储器单元以及非挥发性存储器阵列有效
| 申请号： | 201910885110.3 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110931068B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 许家荣 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非挥发性存储器单元以及非挥发性存储器阵列，其中该非挥发性存储器单元，包括浮动栅晶体管、选择晶体管以及耦合结构。浮动栅晶体管位于P型阱区，包括耦接至由第一多晶硅层所形成的浮动栅极的栅极端、耦接至位线的漏极端以及耦接至第一节点的源极端。选择晶体管位于P型阱区，包括耦接至字符线的选择栅极的栅极端、耦接至第一节点的漏极端以及耦接至源极线的源极端。浮动栅晶体管以及选择晶体管为N型晶体管。耦合结构由将第一多晶硅层延伸而与控制栅极相重叠而形成，其中控制栅极为N型阱区内的P型掺杂区，其中控制栅极耦接至控制线。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 单元 以及 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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