[发明专利]晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910885457.8 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110957358A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;蔡家铭;陈明德;林士琦;张景舜;余典卫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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