[发明专利]一种集成CMOS探测器及制备工艺

摘要

本发明公开了一种集成CMOS探测器及制备工艺，属于半导体技术领域，本发明器件制作工艺简单，AlxGayIn2‑x‑yO3活性层生长工艺成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广。在预先制作好CMOS电路和引出电极的Si衬底上，直接通过与Si基CMOS生长工艺兼容的方法生长AlxGayIn2‑x‑yO3材料作为探测器活性层。制作叉指电极与Si衬底的引出电极互连，且叉指电极在AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料的下面，入射光则从AlxGayIn2‑x‑yO3活性层材料上方入射，即相对叉指电极背入射，从而避免叉指电极对光的吸收。选择AlxGayIn2‑x‑yO3材料体系，可通过进一步调整Al,Ga,In各元素的组分，以及AlxGayIn2‑x‑yO3材料的生长位置，实现集成CMOS单芯片宽波段探测器阵列。

主权项

1.一种CMOS单芯片探测器，其特征在于，从下至上依次包括硅衬底、绝缘层，绝缘层上形成有CMOS电路，CMOS电路由左右对称的NMOS电路、PMOS电路组成，NMOS电路、PMOS电路上形成有引出电极，所述NMOS电路、PMOS电路之间的区域形成有一对叉指电极，包括左叉指电极、右叉指电极，叉指电极形成于绝缘层的上表面，所述引出电极与叉指电极互连，叉指电极的上方覆盖有Al