[发明专利]单环MOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910886732.8 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112530806A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘东栋;张洁 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单环MOS器件及其制作方法，其中单环MOS器件的制作方法包括以下步骤：在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；在炉管中进行热扩散的过程中，向炉管中注入氧气，以在半导体基片的上表面形成氧化层，并使第一掺杂离子向半导体基片的内部扩散以形成保护环。本发明在单环MOS器件的制作过程中通过在炉管推进的过程中加氧气，快速地在半导体基片表面形成一层保护作用的氧化层，极大地改善了单环MOS器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
