[发明专利]一种高纯二氧化硅中痕量杂质元素的测定方法在审
| 申请号： | 201910887649.2 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110470724A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 谭秀珍;李瑶;邓育宁;朱刘 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/68 | 分类号： | G01N27/68 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 颜希文<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯二氧化硅中痕量杂质元素的测定方法，包括以下步骤：(1)将待测的高纯二氧化硅颗粒放置于钽制容器中，装入辉光放电质谱仪的样品池中；(2)液氮冷却样品池，调节辉光放电电流、气体流量、放电电压和预溅射时间；(3)进行直流辉光放电质谱仪分析，采集待测杂质元素的信号强度，计算待测杂质元素的含量。本发明实现了直流辉光放电质谱仪对颗粒状的高纯二氧化硅中痕量杂质的测定，和其它检测方法相比，本发明不需要将二氧化硅样品和导体样品研磨、混合、压片，简化了二氧化硅样品的处理步骤，基体信号强度可达1×108CPS，满足高纯产品的检测需求，为其它不导电的颗粒样品的杂质检测提供了思路。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯二氧化硅 二氧化硅样品 直流辉光放电 杂质元素 样品池 辉光放电质谱仪 痕量杂质元素 质谱仪分析 导体样品 放电电压 高纯产品 痕量杂质 辉光放电 基体信号 颗粒样品 气体流量 液氮冷却 杂质检测 研磨 不导电 颗粒状 预溅射 质谱仪 检测 压片 钽制 装入 采集 | ||
【主权项】：
1.一种高纯二氧化硅中痕量杂质元素的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将待测的高纯二氧化硅颗粒放置于钽制容器中，装入辉光放电质谱仪的样品池中；/n(2)液氮冷却样品池，调节辉光放电电流、气体流量、放电电压和预溅射时间；/n(3)进行直流辉光放电质谱仪分析，采集待测杂质元素的信号强度，计算待测杂质元素的含量。/n
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