[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910887712.2 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112531103B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;林熙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10N35/01 | 分类号： | H10N35/01;H10N35/00;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成第一电磁膜，部分第一电磁膜表面具有隧道层、以及位于隧道层表面的第二电磁层；在第一电磁膜表面、隧道层侧壁表面以及第二电磁层侧壁表面和顶部表面形成第一介质膜；在位于第二电磁层顶部的第一介质膜表面形成第二介质层；采用第一刻蚀工艺，回刻蚀第一介质膜，直至暴露出第一电磁膜表面，在隧道层侧壁表面、以及第二电磁层顶部表面和侧壁表面形成第一介质层，且第一刻蚀工艺对第一介质膜的刻蚀速率大于对第二介质层的刻蚀速率；以第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀第一电磁膜，直至暴露出基底表面，形成第一电磁层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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