[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910888436.1 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112531104A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干相互分立的磁隧道结，且所述磁隧道结侧壁表面具有损伤层；在所述基底表面、磁隧道结顶部表面、以及损伤层顶部表面形成第一介质膜；形成所述第一介质膜之后，采用第一刻蚀工艺，去除所述损伤层。所述方法在去除损伤层的同时，能够提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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