[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 201910888436.1 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN112531104A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 郑二虎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成若干相互分立的磁隧道结,且所述磁隧道结侧壁表面具有损伤层;在所述基底表面、磁隧道结顶部表面、以及损伤层顶部表面形成第一介质膜;形成所述第一介质膜之后,采用第一刻蚀工艺,去除所述损伤层。所述方法在去除损伤层的同时,能够提高形成的半导体结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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