[发明专利]一种防止反溅液体污染基板的装置及方法在审
申请号: | 201910891034.7 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN112542397A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈兴隆;郑云龙 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体行业基板湿法处理领域,具体地说是一种防止反溅液体污染基板的装置及方法,喷嘴上安装有防溅罩,防溅罩的上端与喷嘴相连,下端为开放结构,防溅罩上开设有至少一个进液管,进液管连接有进液管路A,通过进液管路A向防溅罩内部输送液体A,液体A在防溅罩的内表面形成有液体膜;喷嘴向基板表面喷洒液体B,在基板表面形成反溅的液体B反溅至液体膜,并随液体膜流到基板表面,随基板的旋转脱离基板。本发明可以防止喷嘴喷洒出的液体B飞溅至升降CUP外部,避免影响工艺单元湿度,并可以防止反溅液体对工艺单元造成腐蚀;同时,本发明可防止反溅的液体B残留在喷嘴或防溅罩的内表面,避免在后续工艺中对基板造成二次污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 液体 污染 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源微电子设备股份有限公司,未经沈阳芯源微电子设备股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910891034.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种激光匀化照明光路及装置
- 下一篇:管道阻尼减振结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造