[发明专利]一种静电吸盘及其使用方法在审
| 申请号： | 201910891452.6 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600419A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊晟;胡彬彬 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种静电吸盘，能够更精细地控制晶圆的温度，使晶圆任一部位的温度不会超过晶圆工艺所需的范围，提高晶圆的工艺质量，同时每个温控组件都设有单独的温度控制单元，使温度控制更加准确，加热元件之间互不影响。本发明还提供一种静电吸盘的使用方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 静电吸盘 温度控制单元 加热元件 晶圆工艺 温控组件 精细 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘，用于吸附晶圆，其特征在于，包括静电吸盘主体和温控组件，/n所述静电吸盘主体具有一吸附面，用于吸附所述晶圆，所述静电吸盘主体具有一中空的内腔，所述内腔分为至少两个温控区域；/n所述温控组件的数量与所述温控区域的数量相等，每个所述温控组件包括加热元件、温度传感器和温度控制单元，所述加热元件和所述温度传感器设置于对应的所述温控区域内，所述温度控制单元连接所述温度传感器和所述加热元件，所述温控组件用于调控对应的所述温控区域内的温度，以调控所述静电吸盘主体的所述吸附面的温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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