[发明专利]增强型异质结场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910891750.5 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110600548A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;谭鑫;周幸叶;宋旭波;房玉龙;张志荣;郭艳敏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型异质结场效应晶体管，增强型异质结场效应晶体管自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。本发明提供的增强型异质结场效应晶体管，通过在势垒层与P型掺杂帽层之间引入介质层，在P型掺杂帽层与栅电极之间引入N型掺杂帽层，能够提高器件的阈值电压，增大器件的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 帽层 异质结场效应晶体管 增强型 缓冲层 介质层 势垒层 栅电极 半导体器件技术 阈值电压 漏电极 源电极 引入 衬底 分列 | ||
【主权项】：
1.一种增强型异质结场效应晶体管，其特征在于，自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；/n所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；/n所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。/n
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