[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910893164.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110957364A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;徐志安;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供半导体装置，此半导体装置包含栅极结构、间隔结构、及形成于半导体层表面上的源极/漏极结构。栅极结构包含介电结构、金属结构、及绝缘结构。介电结构形成于半导体层表面上。金属结构底端接触介电结构顶端。绝缘结构底端接触金属结构顶端，且绝缘结构于金属结构顶端之上突出。间隔结构配置为在绝缘结构底端下方延伸，且接触金属结构侧壁。间隔结构配置为隔开栅极结构与源极/漏极结构。源极/漏极结构包含源极/漏极掺杂结构、硅化物结构、以及金属接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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