[发明专利]一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法有效
| 申请号： | 201910893385.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542534B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;张兆喜;王梦雪;闫宝华;任忠祥 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，本发明操作时，首先进行外延层的生长，其中外延层的生长属于常规工艺，生长外延层后在GaP窗口层上生长ITO膜层，可有效提高LED芯片的发光亮度，并且提高芯片的导电性能；ITO膜层生长结束后，进行P面电极、N面电极的制作，而后利用锯片机进行锯片切割，切割之前在P面生长保护层，切割完成后对芯片进行清洗，去除晶片表面残留的保护层，烘干后扩膜，形成独立管芯结构。本技术方案工艺设计合理，操作简单，利用氯化铯薄膜作为保护层，进行后续锯片切割时，保护层可以有效起到电极保护、切割保护的作用，极大程度的避免了崩边、崩角损伤的发生，提高晶片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 生长 ito 电极 led 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
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