[发明专利]掺杂型金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在审
申请号: | 201910896373.4 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN110797395A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 徐苗;徐华;吴为敬;陈为峰;王磊;彭俊彪 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L29/24 | 分类号: | H01L29/24;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 贺红星 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂型金属氧化物半导体,该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌半导体,该掺杂型金属氧化物半导体可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下,有效抑制薄膜中的氧空位浓度,其迁移率可以保持在较高的值;关键的,形成的薄膜能避免光照对I‑V特性和稳定性的影响,大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供该掺杂型金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。 | ||
搜索关键词: | 金属氧化物半导体 掺杂型 薄膜 光照 掺杂 金属氧化物半导体器件 薄膜晶体管 稀土氧化物 氧化铟锡锌 氧化铟锡 有效抑制 迁移率 氧化镨 氧化镱 氧空位 半导体 应用 | ||
【主权项】:
1.掺杂型金属氧化物半导体,其特征在于,该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌;/n所述稀土氧化物为氧化镨和/或氧化镱;镨和/或镱与氧化铟锡或氧化铟锡锌的掺杂摩尔比为0.002-0.4:1;/n所述掺杂型金属氧化物半导体存在光生载流子快速复合中心。/n
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