[发明专利]一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法有效
| 申请号： | 201910896613.0 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729173B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 曲媛;张楠;杨士成;武江鹏;宋丽萍;左春娟;雷莎 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 710100*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，属于微波集成电路精细加工技术领域。采用特定性能的紫外激光对上述基板表层进行阵列刻线式刻蚀粗化处理，采用特定的温度曲线，在高温条件下对上述经过粗化后的基板进行高温煅烧，使得基板表面获得的粗糙度Ra值稳定在0.25～0.3mm范围内，并具有良好的粗化均匀性，提高了高介电常数基板作为基材在制作微波集成薄膜电路的过程中金属膜层与基材的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 介电常数 陶瓷 金属膜 附着力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于步骤如下：/n(1)在待加工的高介电常数陶瓷基板的上表面和下表面分别进行粗化处理；/n(2)对粗化处理后的基板进行清洗；/n(3)对清洗后的基板进行高温煅烧；/n(4)使用磁控溅射工艺在高温煅烧后的基板上表面和下表面分别制作薄膜金属层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
