[发明专利]基于轴向磁场耦合机械振动制备太阳能级多晶硅的方法在审

专利信息
申请号: 201910896752.3 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110512284A 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 陈小会;张发云;饶森林 申请(专利权)人: 新余学院
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B30/04;C30B30/06;C30B29/06
代理公司: 36134 南昌朗科知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 郭毅力<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 338004 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种基于轴向磁场耦合机械振动制备太阳能级多晶硅的方法,将冶金硅表面酸洗、蒸馏水清洗,干燥,装进高纯石英坩埚内,并放入定向凝固炉中,抽真空;将炉温升至1200~1350℃,保温;向炉腔充入惰性气体;将炉温升至1500~1650℃,保温;得到硅熔体;将硅熔体温度降至1420~1570℃;引入轴向磁场和机械振动到硅熔体中;将坩埚以1~20μm/s的速率抽拉出加热区,开始长晶;长晶结束后,关闭励磁系统和停止机械振动,将温度降至1000~1300℃;关闭加热系统,随炉冷却。本发明得到的多晶硅材料组织中硅晶粒粗大且垂直于坩埚底部,缺陷少,杂质含量低;工艺成本低、简单;安全可靠、无污染;操作方便。
搜索关键词: 硅熔体 坩埚 机械振动 轴向磁场 温度降 炉温 保温 太阳能级多晶硅 定向凝固炉 多晶硅材料 蒸馏水清洗 表面酸洗 惰性气体 高纯石英 工艺成本 加热系统 励磁系统 随炉冷却 耦合机械 抽真空 硅晶粒 加热区 冶金硅 抽拉 放入 炉腔 制备 垂直 引入
【主权项】:
1.一种基于轴向磁场耦合机械振动制备太阳能级多晶硅的方法,其特征是包括以下步骤:/n(1)将冶金硅表面酸洗、蒸馏水清洗,干燥;/n(2)把经步骤(1)预处理的冶金硅硅料装进高纯石英坩埚内,并放入定向凝固炉中,将炉腔抽真空;/n(3)将定向凝固炉炉腔内温度升高至1200~1350℃,保温100~120min;/n(4)向定向凝固炉炉腔充入0~60000Pa的惰性气体;将温度升高至1500~1650℃,保温30~60 min;得到硅熔体;/n(5)将步骤(4)得到的硅熔体的温度降至1420~1570 ℃;引入轴向磁场和机械振动到硅熔体中,磁场强度0.01~1T,振动功率1.75KW,振动频率0.1~1KHz,振动振幅0.01~1mm;将装有硅熔体的坩埚以1~20μm/s的速率抽拉出加热区,开始长晶;/n(6)长晶结束后,关闭励磁系统和停止机械振动,将温度降至1000~1300℃;关闭加热系统,随炉冷却。/n
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