[发明专利]扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体

摘要

本发明提供一种扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体，利用多次包封、开槽、沉积导电金属层、引脚电镀、图形化连接等工艺，制备的扇出型芯片封装体，芯片厚度可以减薄至小于或等于50um，极大地降低了芯片的体电阻，提高了元器件的性能；芯片背面无需再采用背银工艺利用银胶制作背银层，也无需通过导电胶粘结基板，省去了基板、银胶两种主要物料，有效节省芯片制造成本。

主权项

1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)提供一待封装产品，所述待封装产品包括一载体，在所述载体上贴附有至少一个芯片，所述芯片的正面设有多个金属焊盘；/n(2)形成一第一塑封层包覆所述芯片，之后移除所述载体，其中，所述第一塑封层在所述芯片的至少一侧面向外延伸一待开槽区域；/n(3)从所述芯片的背面一侧对所述芯片以及所述第一塑封层进行减薄处理，并对所述第一塑封层的所述待开槽区域进行开槽，形成一凹槽；/n(4)在所述凹槽内进行导电金属层沉积，并在所述芯片的背面电镀形成一第一引脚，及/n在所述导电金属层的背面电镀形成一第二引脚；/n(5)从所述芯片的正面一侧对所述第一塑封层进行处理，以暴露并连接所述金属焊盘的顶面与所述导电金属层的正面，并进行塑封获取扇出型芯片封装产品。/n