[发明专利]低介电低损耗的5G应用材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910898979.1 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110655789A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 岑建军;吴春泉;张杰;吴武波;崔海龙;卢善波 | 申请（专利权）人： | 宁波今山新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08L27/18;C08K3/36;C08K3/04;C08K3/08 |
| 代理公司： | 33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 315176 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了低介电低损耗的5G应用材料，包括位于中间的MPI材料层，以及包覆在MPI材料层上下两侧的LCP材料层，其中MPI材料层的厚度是25~75um，LCP材料层的厚度为12.5~50um。本发明得到的低介电低损耗的5G应用材料，厚度为50um~175um，低介电常数小于2.8，低介质损耗小于1.0×10 | ||
| 搜索关键词： | 材料层 应用材料 低损耗 低介 低热膨胀系数 低介电常数 低介质损耗 低收缩率 上下两侧 包覆 | ||
【主权项】：
1.一种低介电低损耗的5G应用材料，包括位于中间的MPI材料层，以及包覆在MPI材料层上下两侧的LCP材料层，其中MPI材料层的厚度是25~75um，LCP材料层的厚度为12.5~50um。/n
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