[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910904006.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110943043B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 苏焕杰;林志昌;徐廷鋐;余佳霓;吴伟豪;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一源极和第一漏极，分隔开第一距离；第一半导体结构，设置在第一源极和第一漏极之间；第一栅电极，设置在第一半导体结构上方；以及第一介电结构，设置在第一栅电极上方。第一介电结构具有下部和上部，上部设置在下部上方并且比下部宽。第二晶体管包括：第二源极和第二漏极，分隔开第二距离，第二距离大于第一距离；第二半导体结构，设置在第二源极和第二漏极之间；第二栅电极，设置在第二半导体结构上方；以及第二介电结构，设置在第二栅电极上方。第二介电结构和第一介电结构具有不同的材料组分。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
