[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201910904728.X | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635570B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王利忠;周天民;胡合合;董水浪;王文华;姚念琦 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，能够对氧化物有源层中的氧空位缺陷进行中和，提高氧化物薄膜晶体管的正偏压温度应力，提升器件的信赖性。所述氧化物薄膜晶体管，包括：氧化物有源层、沿所述氧化物有源层厚度方向设置于所述氧化物有源层一侧的第一疏松层、以及设置于所述第一疏松层远离所述氧化物有源层一侧的第一氧释放层；所述第一疏松层与所述氧化物有源层、所述第一氧释放层接触；所述第一疏松层的材料包括无机氧化物绝缘材料所述第一氧释放层的材料为含氧绝缘材料，且所述第一氧释放层在25～350C°的氧释放量大于1E19molec./cm |
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| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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