[发明专利]一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法

摘要

本发明公开了一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，具体包括如下步骤：101)上散热底座制作步骤、102)散热底座制作步骤、103)芯片集成步骤；本发明通过在芯片底部设置散热微流通道做散热器，同时在芯片发热点位置或附近区域分布设置加装二次散热微流通道，使该区域热量能够更快的被散热流体带走，避免了热点因为热量较大而导致芯片失效的问题的一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法。

主权项

1.一种针对射频芯片热集中点的三维堆叠散热模组制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)上散热底座制作步骤：上散热底座包括上层和下层，在上层和下层表面都通过沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；在种子层上制作RDL；/n在上层和下层的上表面都通过光刻和刻蚀工艺制作微流沟槽；其中，微流沟槽直接通过射频芯片发热点区域，或者微流沟槽均匀分布在射频芯片发热点之外的区域；/n将上层和下层的上表面通过共晶键合工艺形成内部具有微流通的上散热底座；/n102)散热底座制作步骤：重复步骤101)制作下散热底座，将上散热底座和下散热底座通过共晶键合工艺进行键合；其中，上散热底座和下散热底座的微流沟槽呈交叉分布的方式进行堆叠设置；/n103)芯片集成步骤：在散热底座表面的相应位置处贴合射频芯片，形成三维堆叠散热模组。/n