[发明专利]基片检查方法、基片检查装置和存储介质在审
申请号: | 201910904935.5 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110957233A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 久野和哉;清富晶子;野田康朗;滨本启佑;西山直 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供基片检查方法、基片检查装置和存储介质。基片检查方法包括:第一步骤,其使保持翘曲量已知的基准基片的保持台旋转,拍摄基准基片的端面;第二步骤,其对第一步骤中获得的拍摄图像进行图像处理,获取基准基片的端面的形状数据;第三步骤,其使保持被处理基片的保持台旋转,拍摄被处理基片的端面;第四步骤,其对第三步骤中获得的拍摄图像进行图像处理,获取被处理基片的端面的形状数据;和第五步骤,其在第一步骤的保持台的旋转位置与第三步骤的保持台的旋转位置相同的条件下,求取第二步骤获取的形状数据与第四步骤获取的形状数据的差,由此计算被处理基片的翘曲量。本发明能够高精度地测量晶片的翘曲。 | ||
搜索关键词: | 检查 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造