[发明专利]一种半导体材料电阻率光学测量方法有效
| 申请号： | 201910905765.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110646384B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王谦;刘卫国;谭林秋 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01R27/02 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体材料电阻率光学测量方法，本发明的原理为：半导体材料对光子能量大于其禁带宽度的泵浦光束吸收后产生过剩载流子，过剩载流子经辐射复合后产生光子，光子在向前后表面传输的过程中被材料重新吸收，由于重吸收系数的大小与光子能量相关，加上光子传输路径的差别，前后表面被收集和测量光致发光谱不同。光子的重新吸收主要包含本证吸收和自由载流子吸收，自由载流子吸收的大小与半导体材料的掺杂浓度相关，因此可以通过分析计算前后表面收集的光致发光谱得到半导体材料的掺杂浓度，进一步由公式计算得到其电阻率的大小。本发明弥补了传统的四探针技术需要与样品接触的缺点，提高了半导体材料电阻率的测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 电阻率 光学 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料电阻率光学测量方法，其特征在于：所述的测量方法的步骤为：/n步骤1)：将光子能量大于被测半导体的本征半导体禁带宽度的泵浦光束照射到被测半导体样品前表面，产生光致发光信号；/n步骤2)：在样品前表面和后表面放置信号收集装置，同时对传输到前表面和后表面的光致发光信号进行收集，经光谱分析装置获得光致发光谱，前后表面获得的光致发光谱分别记为
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