[发明专利]平面栅超结MOSFET在审
| 申请号： | 201910905850.9 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635559A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面栅超结MOSFET，包括：包括多个形成在超结结构的顶部且呈并联结构的器件单元；器件单元包括：沟道区，由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成的平面栅，形成于沟道区表面的源区；平面栅超结MOSFET的导通电阻包括串联的沟道电阻以及扩散电阻；平面栅超结MOSFET形成具有降低扩散电阻的分布结构，分布结构中，至少一个以上的第一导电类型柱具有第一种沟道设置，第一种沟道设置中仅在第一导电类型柱的一侧具有沟道区的延伸区域、而另一侧中不具有沟道区的延伸区域，使对应的第一导电类型柱的一侧顶部的沟道区边缘到第一导电类型柱的另一侧边缘都作为沟道扩散区。本发明能增加沟道扩散区的宽度并减少散电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 栅超结 mosfet | ||
【主权项】：
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