[发明专利]一种存储单元、NAND闪存架构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910906302.8 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634875A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11536;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储单元，包括多个存储结构，存储结构包括：第一介质层、位于第一介质层上的第一浮栅层、位于第一浮栅层上的第二介质层、位于第二介质层上的第二浮栅层、位于第二浮栅层上的第三介质层以及位于第三介质层上的控制栅层；本发明还提供了一种NAND闪存架构，包括：基底、位于基底上存储单元、选择管区、金属孔区和浅沟槽隔离，选择管区位于存储单元的外围、金属孔区位于选择管区的外围，浅沟槽隔离隔离所述存储单元与选择管区以及选择管区与金属孔区。本发明所提供的NAND闪存架构中的存储单元成数量级增加，从而有效的改善了现有技术中闪存容量不足等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 存储单元 浮栅层 金属孔 浅沟槽隔离 存储结构 基底 架构 外围 控制栅层 闪存容量 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，包括多个存储结构，所述存储结构包括：第一介质层、位于所述第一介质层上的第一浮栅层、位于所述第一浮栅层上的第二介质层、位于所述第二介质层上的第二浮栅层、位于所述第二浮栅层上的第三介质层以及位于所述第三介质层上的控制栅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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