[发明专利]金属互连结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910907161.1 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111463168A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金志勲;金玄永;徐康元 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属互连结构及其制备方法。所述方法包括：于介电层的其中一表面向内开设沟槽；于所述沟槽内形成三元合金层，所述三元合金层包括第一合金组分、第二合金组分和第三合金组分，所述第一合金组分为铜，所述第二合金组分为锰，所述第三合金组分为银、钛、铬、钴、镍、锆、钇、钌、铑、钯、镉、铱、铂、金、铝、镁及硒中的其中一种，所述第二合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为0‑15％，所述第三合金组分在所述三元合金层中的原子百分含量为6‑15％；对所述三元合金层在50‑800摄氏度的温度下进行热处理，得到晶种层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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