[发明专利]自对准侧墙工艺核心层的实现方法在审
| 申请号： | 201910907365.5 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634734A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 巨晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准侧墙工艺核心层的实现方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层和核心层；刻蚀所述核心层形成上大下小并且表面平整的芯模；形成位于所述芯模两侧的侧墙；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层和部分所述衬底，刻蚀后的所述衬底形成的多个凹槽，多个所述凹槽的深度相同。在本发明提供的自对准侧墙工艺核心层的实现方法中，形成的芯模顶端平整，并且没有圆角，芯模两侧的侧墙相等并且距离相等，最后以侧墙为掩膜刻蚀衬底形成的凹槽的深度一致，解决了现有技术中最后形成的凹槽深度不一致的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 核心层 侧墙 刻蚀 芯模 自对准侧墙 牺牲层 掩膜 表面平整 距离相等 上大下小 芯模顶端 不一致 圆角 相等 平整 | ||
【主权项】：
1.一种自对准侧墙工艺核心层的实现方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成牺牲层和核心层；/n刻蚀所述核心层形成上大下小并且表面平整的芯模；/n形成位于所述芯模两侧的侧墙；/n以所述侧墙为掩膜刻蚀所述牺牲层和部分所述衬底，刻蚀后的所述衬底形成的多个凹槽，多个所述凹槽的深度相同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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