[发明专利]半导体电磁屏蔽结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910907399.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110610906A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;李振华;刘小刚;刘焱;胡霄 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 44426 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 隆毅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电磁屏蔽结构，其包括：基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，基板的内部设有电路连接结构；至少两个半导体器件，其设置在第二表面上，相邻的每两个半导体器件之间具有装配间隔，半导体器件与电路连接结构电连接；封装层，其至少覆盖在半导体器件和第二表面上，封装层上设有填充缝隙，填充缝隙在装配间隔中的部分沿着装配间隔延伸，以隔开相邻的两个半导体器件；电磁屏蔽层，其包括填充在填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在封装层的表面上的第二屏蔽层，第一屏蔽层与第二屏蔽层连接成一体。由此形成的电磁屏蔽结构具有更好的电磁信号抗干扰效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 填充 第二表面 封装层 装配 电磁屏蔽结构 电路连接结构 第二屏蔽层 第一屏蔽层 基板 电磁屏蔽层 抗干扰效果 第一表面 电磁信号 电连接 覆盖 隔开 半导体 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电磁屏蔽结构，其特征在于，包括：/n基板，其具有呈相对的第一表面和第二表面，所述基板的内部设有电路连接结构；/n至少两个半导体器件，其设置在所述第二表面上，相邻的每两个所述半导体器件之间具有装配间隔，所述半导体器件与所述电路连接结构电连接；/n封装层，其至少覆盖在所述半导体器件和第二表面上，所述封装层上设有从其与所述第二表面相对的表面向内延伸、且至少部分位于所述装配间隔处的填充缝隙，所述填充缝隙在所述装配间隔中的部分沿着所述装配间隔延伸，以隔开相邻的两个所述半导体器件；/n电磁屏蔽层，其包括填充在所述填充缝隙中的第一屏蔽层和覆盖在所述封装层的表面上的第二屏蔽层，所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层连接成一体。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳佰维存储科技股份有限公司，未经深圳佰维存储科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910907399.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成扇出型封装及其制造方法
- 下一篇：半导体结构和形成半导体结构的方法
