[发明专利]用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构有效
| 申请号： | 201910907575.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110767802B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 马平;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其中：电极配置结构包括上层电极材料层、中间相变材料层、下层电极材料层；上层电极材料层包括外环电极和内部源端电极，上层电极材料层和下层电极材料层为非对称上下电极结构，水平投影为相交关系。在同一个单元中，同时构造了两种电极配置方式，在高阻非晶化过程中，采用水平工作模式，显著降低等效阻值R，读取电流增大，便于进行正确读取；在低阻晶化过程中，采用垂直工作模式，增大了等效阻值R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命；因此平衡了纳米级相变材料的两相阻值的悬殊差异，简化并统一了外部接入电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 相变 存储器 单元 电极 配置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米级相变存储器单元的新型电极配置结构，其特征在于：/n所述新型电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)、中间相变材料层(130)、下层电极材料层(140)；/n所述上层电极材料层(120)包括外环电极(122)和内部源端电极(124)，所述内部源端电极(124)位于所述外环电极(122)中，两者之间具有环形槽；/n所述上层电极材料层(120)和内部源端电极(124)为非对称上下电极结构，水平投影为相交关系；所述下层电极材料层(140)的侧方、所述中间相变材料层(130)的下方配置有绝缘介质保护层(150)；/n在水平工作状态下，所述内部源端电极(124)接源端，所述外环电极(122)接漏端，所述下层电极材料层(140)接高电位；/n在垂直工作状态下，所述内部源端电极(124)接源端，所述外环电极(122)接高电位，所述下层电极材料层(140)接漏端。/n
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