[发明专利]一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺有效
| 申请号： | 201910907931.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110581061B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李会杰;王静辉;田志怀;李晓波;白欣娇;李婷婷;张江鹏 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 张建茹 |
| 地址： | 050200 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，属于集成电路芯片制造的技术领域，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，关键在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括将基片置于腐蚀液A和腐蚀液B中进行腐蚀，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15‑30次/分钟，腐蚀时间55‑60s，控制环境温度为22±2℃、湿度为55±5％RH；所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、双氧水、水＝1:1:10的质量比配制，本发明能够对金属进行充分腐蚀，腐蚀的效果良好，能够完美达到工艺的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 mmic 功率放大器 芯片 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，其特征在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括将基片置于腐蚀液A和腐蚀液B中进行腐蚀，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15-30次/分钟，腐蚀时间55-60s，控制环境温度为22±2℃、湿度为55±5％RH；/n所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、质量分数30-60％的双氧水、水＝1:1:10的质量比配制。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
