[发明专利]利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法及HEMT器件

摘要

本发明公开了一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，在生长完AlGaN/GaN HEMT结构后原位再外延一层InN保护层，当采用MOCVD再生长p‑GaN栅结构时在生长系统中先将InN保护层高温蒸发掉，再外延p‑GaN层，这种方法避免了AlGaN因暴露于空气中导致的C和O杂质污染，能有效降低p‑GaN/AlGaN的界面态密度。同时，该方法制备HEMT器件时因不需要刻蚀p‑GaN层，避免了传统方法在源漏区因不能精确控制p‑GaN层的刻蚀深度而导致的高源漏接触电阻或界面损伤。

主权项

1.一种利用InN保护层降低HEMT器件界面态的再生长方法，其步骤包括：/n(1)在GaN基HEMT器件的AlGaN/GaN基片表面生长一层InN保护层；/n(2)在InN保护层上旋涂一层光刻胶，将图形转移到光刻胶上，然后以光刻胶作为掩膜，将栅以外的InN保护层去除；/n(3)使用PECVD的方法在AlGaN/GaN基片表面沉积一层掩膜层，在其表面旋涂一层光刻胶，通过曝光、显影和烘烤，形成光刻图形，然后在此基础上，利用光刻胶作为掩膜，使用RIE刻蚀的方法将掩膜层图形化，使得掩膜层下的InN保护层暴露出来，然后去除光刻胶；/n(4)将具有掩膜图形的基片升温以分解InN保护层，然后在原有InN保护层的位置生长p-GaN层；/n(5)将生长完p-GaN层的基片放入HF中浸泡，去除掩膜层；/n(6)继续处理基片，形成p-GaN增强型HEMT器件。/n