[发明专利]ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台在审
| 申请号： | 201910908564.8 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634762A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吕亚冰;岳思宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/73;G01N27/62 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台，该方法包括：对硅片进行刻蚀；将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；使VPD液滴在硅片表面滚动，收集硅片表面的金属成份，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低VPD液滴在硅片表面的残留；将VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到VPD液滴中的金属成份含量。本申请通过在ICPMS测试过程中，使VPD液滴在硅片表面滚动收集硅片表面的金属成份时，通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低了VPD液滴在硅片表面的残留，提高了ICPMS测试的测试结果的准确性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 液滴 硅片表面 硅片 金属成份 扫描平台 刻蚀 残留 滚动 测试 测试过程 光谱分析 雾化 申请 | ||
【主权项】：
1.一种ICPMS测试方法，其特征在于，包括：/n对硅片进行刻蚀；/n将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台；/n使VPD液滴在所述硅片表面滚动，收集所述硅片表面的金属成份，通过倾斜所述硅片利用所述VPD液滴的重力降低所述VPD液滴在所述硅片表面的残留；/n将所述VPD液滴雾化后进行光谱分析，计算得到所述VPD液滴中的金属成份含量。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
