[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在核心器件的NMOS区域覆盖光刻胶，通过刻蚀去除IO器件的源漏区域以及核心器件的PMOS区域的源漏区域的硬掩模层；对IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在PMOS区域的源漏区域形成U形沟槽；去除NMOS区域的光刻胶，对PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在PMOS区域的源漏区域形成∑形沟槽；通过外延工艺在∑形沟槽中生长硅锗层；通过湿法刻蚀工艺先后去除硬掩模层以及IO器件的源漏区域的第一栅氧化层。本申请由于不需要通过额外的光刻工艺去除源漏区域的第一栅氧化层，从而降低了工艺复杂性，进而降低了工艺成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括IO器件的有源区和核心器件的有源区，所述核心器件的有源区包括NMOS区域和PMOS区域，所述IO器件的有源区上形成有第一栅氧化层，所述第一栅氧化层上形成有第一栅极，所述第一栅氧化层覆盖所述IO器件有源区上的源漏区域，所述NMOS区域形成有第二栅氧化层，所述第二栅氧化层上形成有第二栅极，所述PMOS区域形成有第三栅氧化层，所述第三栅氧化层上形成有第三栅极，所述衬底、所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极的表面依次形成有隔离层和硬掩模层；/n在所述NMOS区域覆盖光刻胶，通过刻蚀去除所述IO器件的源漏区域以及所述PMOS区域的源漏区域的硬掩模层；/n对所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及所述PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，减薄所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层以及所述PMOS区域的衬底，在所述PMOS区域的源漏区域形成U形沟槽；/n去除所述NMOS区域的光刻胶，对所述PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在所述PMOS区域的源漏区域形成∑形沟槽；/n通过外延工艺在所述∑形沟槽中生长硅锗层；/n通过湿法刻蚀工艺去除所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第三栅极表面的硬掩模层；/n通过湿法刻蚀工艺去除所述IO器件的源漏区域的第一栅氧化层。/n