[发明专利]一种基于IGBT实现控制的方法有效
| 申请号： | 201910909742.9 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110707905B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;车兰秀 | 申请（专利权）人： | 广州华工科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H03K17/567 |
| 代理公司： | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于IGBT实现控制的方法，于功率半导体模块技术领域，包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；DSP控制器耦接在电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，流二极管芯片一端还耦接有不间断电源。对流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值，进而可以控制电流通过向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通，向门极电压消除沟道，切断基极电流，进而避免GBT内元件受损。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 实现 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于IGBT实现控制的方法，其特征在于：包括DSP控制器、绝缘栅双极型晶体管芯片、续流二极管芯片以及电流检测器；/n所述DSP控制器耦接在所述电流检测器上，用于接收电流检测器检测的电流信号与控制信号；/n所述绝缘栅双极型晶体管芯片的一端还耦接有变频器，所述流二极管芯片一端还耦接有不间断电源；/n当IGBT处于通电状态时，DSP控制器处于关闭状态时，形成N沟道绝缘栅双极型晶体管，为N+区，即漏区，并且附在相应的电机上，为发射极E，在N沟道绝缘栅双极型晶体管下方的控制器形成栅极G，并在栅极区边界形成沟道，用于给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；/n在栅极区边界的沟道出连接有检测电流是否过高的电流检测器；/n电流检测器有电机+N极与-N极，+N极耦接与绝缘栅双极型晶体管芯片，-N极耦接与流二极管芯片，检测流过绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片的电流值。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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