[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910909760.7 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957279B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘浩君;萧景文;许国经;李明机 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/485;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：管芯结构，包括多个管芯区和多个第一密封环。多个第一密封环中的每一个围绕多个管芯区的相应管芯区。半导体器件还包括围绕多个第一密封环的第二密封环以及接合到管芯结构的多个连接件。多个连接件中的每一个具有细长的平面图形状。多个连接件中的每一个的细长平面图形状的长轴朝向管芯结构的中心定向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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