[发明专利]包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法有效
| 申请号： | 201910910572.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111668194B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 崔善明 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了包括穿通电极的半导体芯片以及测试该穿通电极的方法。一种半导体芯片包括：第一半导体器件以及层叠在第一半导体器件之上的第二半导体器件。第二半导体器件经由多个穿通电极电连接到第一半导体器件。在测试模式下，第一半导体器件被配置为经由多个穿通电极来驱动逻辑电平的第一模式和逻辑电平的第二模式，被配置为将通过来自第一半导体器件和第二半导体器件的第一模式和第二模式而产生的多个测试数据的逻辑电平进行比较，以产生指示多个穿通电极正常运作或异常运作的检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 通电 半导体 芯片 以及 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910910572.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和半导体系统
- 下一篇：开关装置
- 同类专利
- 专利分类
