[发明专利]电子器件在审
| 申请号： | 201910911031.5 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110970488A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 皮特·莫昂;奥罗拉·康斯坦特;彼得·科庞;阿布舍克·班纳吉 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;马芬 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件。该电子器件可以包括沟道层、第一载流子供应层、HEMT的栅极电极和HEMT的漏极电极。HEMT可以具有沿着沟道层和第一载流子供应层之间的界面的2DEG。在一个方面，2DEG可以具有在漏极电极和栅极电极之间的点处为最高的最高密度。在另一个方面，HEMT还可以包括第一载流子供应层和第二载流子供应层，其中第一载流子供应层设置在沟道层和第二载流子供应层之间。第二载流子供应层在漏极电极和栅极电极之间的位置处为较厚的。在另外的方面，形成电子器件的方法可以包括HEMT。在一个具体实施方案中，第一载流子供应层和第二载流子供应层可以从下面层外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
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