[发明专利]一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法有效
| 申请号： | 201910911573.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110510670B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘少辉;王娇;郝好山;赵利敏 | 申请（专利权）人： | 河南工程学院 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;C01B33/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 451191 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法，采用水热法制备出铌酸钾纳米粉体，以带正电荷的铌酸钾纳米粉体和带负电荷的锂霞石纳米粉体为原材料，通过静电自组装法结合微波烧结合成出铌酸钾@锂霞石复合材料，得到高介电常数、低膨胀系数复合材料，该方法制备的复合材料可用于电容器、大功率静电储能的材料，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一维高 介电常数 膨胀系数 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一维高介电常数、低膨胀系数复合材料，其特征在于：复合材料具有核壳结构，芯层铌酸钾，壳层为锂霞石。/n
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