[发明专利]用于制造存储器件的方法和集成电路有效
| 申请号： | 201910911643.4 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957422B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;徐振斌;王宏烵;游文俊;陈胜昌;涂淳琮;蔡俊佑;黄胜煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例涉及用于制造存储器件的方法。该方法包括形成设置在介电层上方的第一掩模层，第一掩模层具有侧壁，该侧壁限定设置在位于嵌入式存储区域中的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元之上的开口。实施第一蚀刻以在MRAM单元之上的介电层内形成第一通孔开口。在MRAM单元和介电层上方形成顶部电极通孔层。对顶部电极通孔层实施第一平坦化工艺以去除顶部电极通孔层的一部分并且限定具有基本平坦顶面的顶部电极通孔。本发明的实施例还涉及集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 存储 器件 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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